开赴千里！这钢铁洪流的气势太夯了

韩国第二大芯片代工厂碳化硅业务推迟，国产厂商走强 ，露笑科技涨停_蜘蛛资讯网

U+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC器件的高耐压、高效率

    GIF-坎宁安三分继续

우편 또는 방문 접수할 수 있다. 우선선발 전형 합격자 전원에게는 입학금 일부를 면제해준다.

国投证券研报指出，CoWoS等先进封装已成为GPU+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。

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发布时间：00:12:22